開關(guān)電源電磁干擾的產(chǎn)生機(jī)理及其傳播途徑
Flyback架構(gòu)noise在頻譜上的反應(yīng)
0.15MHz處產(chǎn)生的振蕩是開關(guān)頻率的3次諧波引起的干擾；
0.2MHz處產(chǎn)生的振蕩是開關(guān)頻率的4次諧波和Mosfet振蕩2（190.5KHz）基波的迭加，引起的干擾；所以這部分較強；
0.25MHz處產(chǎn)生的振蕩是開關(guān)頻率的5次諧波引起的干擾；
0.35MHz處產(chǎn)生的振蕩是開關(guān)頻率的7次諧波引起的干擾；
0.39MHz處產(chǎn)生的振蕩是開關(guān)頻率的8次諧波和Mosfet振蕩2（190.5KHz）基波的迭加引起的干擾；
1.31MHz處產(chǎn)生的振蕩是Diode振蕩1（1.31MHz）的基波引起的干擾；
3.3MHz處產(chǎn)生的振蕩是Mosfet振蕩1（3.3MHz）的基波引起的干擾；
開關(guān)管、整流二極管的振蕩會產(chǎn)生較強的干擾
設(shè)計開關(guān)電源時防止EMI的措施
1.把噪音電路節(jié)點的PCB銅箔面積最大限度地減小，如開關(guān)管的漏極、集電極、初次級繞組的節(jié)點等；
2.使輸入和輸出端遠(yuǎn)離噪音元件，如變壓器線包、變壓器磁芯、開關(guān)管的散熱片等等；
3.使噪音元件（如未遮蔽的變壓器線包、未遮蔽的變壓器磁芯和開關(guān)管等等）遠(yuǎn)離外殼邊緣，因為在正常操作下外殼邊緣很可能靠近外面的接地線；
4.如果變壓器沒有使用電場屏蔽，要保持屏蔽體和散熱片遠(yuǎn)離變壓器；
5.盡量減小以下電流環(huán)的面積：次級（輸出）整流器、初級開關(guān)功率器件、柵極（基極）驅(qū)動線路、輔助整流器
6.不要將門極（基極）的驅(qū)動返饋環(huán)路和初級開關(guān)電路或輔助整流電路混在一起；
7.調(diào)整優(yōu)化阻尼電阻值，使它在開關(guān)的死區(qū)時間里不產(chǎn)生振鈴響聲；
8.防止EMI濾波電感飽和；
9.使拐彎節(jié)點和次級電路的元件遠(yuǎn)離初級電路的屏蔽體或者開關(guān)管的散熱片；
10.保持初級電路的擺動的節(jié)點和元件本體遠(yuǎn)離屏蔽或者散熱片；
11.使高頻輸入的EMI濾波器靠近輸入電纜或者連接器端；
12.保持高頻輸出的EMI濾波器靠近輸出電線端子；
13.使EMI濾波器對面的PCB板的銅箔和元件本體之間保持一定距離；
14.在輔助線圈的整流器的線路上放一些電阻；
15.在磁棒線圈上并聯(lián)阻尼電阻；
16.在輸出RF濾波器兩端并聯(lián)阻尼電阻；
17.在PCB設(shè)計時允許放1nF/500V陶瓷電容器或者還可以是一串電阻，跨接在變壓器的初級的靜端和輔助繞組之間；
18.保持EMI濾波器遠(yuǎn)離功率變壓器，尤其是避免定位在繞包的端部；
19.在PCB面積足夠的情況下,可在PCB上留下放屏蔽繞組用的腳位和放RC阻尼器的位置，RC阻尼器可跨接在屏蔽繞組兩端；
20.空間允許的話在開關(guān)功率場效應(yīng)管的漏極和門極之間放一個小徑向引線電容器（米勒電容，10皮法/1千伏電容）；
21.空間允許的話放一個小的RC阻尼器在直流輸出端；
22.不要把AC插座與初級開關(guān)管的散熱片靠在一起。
開關(guān)電源EMI的特點
作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置，開關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強度較大；干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚；開關(guān)頻率不高（從幾十千赫和數(shù)兆赫茲），主要的干擾形式
是傳導(dǎo)干擾和近場干擾；而印刷線路板(PCB)走線通常采用手工布線，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布參數(shù)的提取和近場干擾估計的難度。
1MHZ以內(nèi)----以差模干擾為主，增大X電容就可解決；
1MHZ---5MHZ---差模共模混合，采用輸入端并一系列X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并解決；
5M以上---以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。對于外殼接地的，在地線上用一個磁環(huán)繞2圈會對10MHZ以上干擾有較大的衰減(diudiu2006)；對于25--30MHZ不過可以采用加大對地Y電容、在變壓器外面包銅皮、改變PCBLAYOUT、輸出線前面接一個雙線并繞的小磁環(huán)，
最少繞10圈、在輸出整流管兩端并RC濾波器；
30---50MHZ---普遍是MOS管高速開通關(guān)斷引起，可以用增大MOS驅(qū)動電阻，RCD緩沖電路采用1N4007慢管，VCC供電電壓用1N4007慢管來解決；
100---200MHZ---普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起，可以在整流管上串磁珠；
100MHz-200MHz之間大部分出于PFCMOSFET及PFC二極管，現(xiàn)在MOSFET及PFC二極管串磁珠有效果，水平方向基本可以解決問題，但垂直方向就很無奈了。
開關(guān)電源的輻射一般只會影響到100M以下的頻段，也可以在MOS、二極管上加相應(yīng)吸收回路，但效率會有所降低。
1MHZ以內(nèi)----以差模干擾為主
1.增大X電容量；
2.添加差模電感；
3.小功率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。
1MHZ---5MHZ---差模共?；旌?/p>
采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決。
1.對于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X電容量，添加差模電感器，調(diào)差模電感量；
2.對于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感，選用合理的電感量來抑制；
3.也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如FR107一對普通整流二極管1N4007。
5M以上---以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法
對于外殼接地的，在地線上用一個磁環(huán)串繞2-3圈會對10MHZ以上干擾有較大的衰減作用；也可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔，銅箔閉環(huán)。處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯(lián)電容的大小。
對于20--30MHZ
1.對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2電容量或改變Y2電容位置；
2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值；
3.在變壓器外面包銅箔、變壓器最里層加屏蔽層，調(diào)整變壓器的各繞組的排布；
4.改變PCBLAYOUT；
5.輸出線前面接一個雙線并繞的小共模電感；
6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù)；
7.在變壓器與MOSFET之間加BEADCORE；
8.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容；
9.可以用增大MOS驅(qū)動電阻。
30---50MHZ普遍是MOS管高速開通關(guān)斷引起
1.可以用增大MOS驅(qū)動電阻；
2.RCD緩沖電路采用1N4007慢管；
3.VCC供電電壓用1N4007慢管來解決；
4.或者輸出線前端串接一個雙線并繞的小共模電感；
5.在MOSFET的D-S腳并聯(lián)一個小吸收電路；
6.在變壓器與MOSFET之間加BEADCORE；
7.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容；
8.PCB心LAYOUT時大電解電容，變壓器，MOS構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小；
9.變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。
50---100MHZ普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起
1.可以在整流管上串磁珠；
2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù)；
3.可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗，如PIN腳處加BEADCORE或串接適當(dāng)?shù)碾娮瑁?/p>
4.也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射（如鐵夾卡MOSFET，鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點）；
5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射。
200MHZ以上開關(guān)電源已基本輻射量很小，一般可過EMI標(biāo)準(zhǔn)。
傳導(dǎo)方面EMI對策
傳導(dǎo)冷機(jī)時在0.15-1MHZ超標(biāo)，熱機(jī)時就有7DB余量。主要原因是初級BULK電容DF值過大造成的，冷機(jī)時ESR比較大，熱機(jī)時ESR比較小，開關(guān)電流在ESR上形成開關(guān)電壓，它會壓在一個電流LN線間流動，這就是差模干擾。解決辦法是用ESR低的電解電容或者在兩個電解
電容之間加一個差模電感.........
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